1. 价格腰折：6英寸SiC晶圆从2023年20000-8000元/片，跌至2026年7000-4000元/片：650V消费级SiC MOSFET器件单价已低于1元，逼近甚至低于硅基超结MOS。
2.大尺寸量产：8英寸SiC量产，单晶圆芯片数从100+增至300+，单位成本降30%；12英寸衬底突破，未来成本有望再腰折。
3.工艺降本：激光切割+良率提升，晶锭损耗从50%→15%，单片成本再降20%+。
4.国产替代：国内SiC衬底/外延产能爆发，价格比进口低30%-50%。
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