MBR20100DC TO-263封装(佑芯微半导体)替代MBRB20100CTG TO-263封装(ON安森美)

肖特基二极管:MBR20100DC TO-263封装(佑芯微半导体)与MBRB20100CTG TO-263封装(ON安森美)参数替换对比。

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MBR20100DC TO-263封装(佑芯微半导体),最大平均正向整流电流:20A,最大反向重复峰值电压:100V,浪涌冲击电流：250A，正向压降:0.68V@125度 10A，最大反向电流：1.5UA，工作温度范围：-55~+175。MBRB20100CTG TO-263封装(ON安森美),最大平均正向整流电流:20A,最大反向重复峰值电压:100V,浪涌冲击电流：150A，正向压降:0.75V@125度 10A，最大反向电流：6.0mA，工作温度范围：-65~+175。

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